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参数资料
| 型号： | NCP5359ADR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 10 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5359ADR2GOSDKR |
NCP5359A
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC ? 8
CASE 751 ? 07
ISSUE AJ
? Y ?
B
? X ?
8
1
A
5
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 751 ? 01 THRU 751 ? 06 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 751 ? 07.
G
MILLIMETERS
INCHES
0 _ _
0 _ _
? Z ?
H
D
0.25 (0.010)
M
Z Y
C
S
X
SEATING
PLANE
0.10 (0.004)
S
N
X 45 _
M
J
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MIN MAX
4.80 5.00
3.80 4.00
1.35 1.75
0.33 0.51
1.27 BSC
0.10 0.25
0.19 0.25
0.40 1.27
8
0.25 0.50
5.80 6.20
MIN MAX
0.189 0.197
0.150 0.157
0.053 0.069
0.013 0.020
0.050 BSC
0.004 0.010
0.007 0.010
0.016 0.050
8
0.010 0.020
0.228 0.244
SOLDERING FOOTPRINT*
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.270
0.050
SCALE 6:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
8
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