参数资料
| 型号： | NCP5386BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR BUCK 1/2PHASE 32-QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，Intel VR10、VR11、AMD CPU |
| 输入电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 输出数： | 2 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NCP5386, NCP5386A, NCP5386B
MAXIMUM RATINGS
Electrical Information
Pin Symbol
COMP
VDRP
VS+
VS ?
DIFFOUT
VR_RDY, VR_FAN
V CC
ROSC
DACMODE, EN
All Other Pins
V MAX (V)
5.5
5.5
2.0
2.0
5.5
5.5
7.0
5.5
3.5
5.5
V MIN (V)
? 0.3
? 0.3
GND ? 300 mV
GND ? 300 mV
? 0.3
? 0.3
? 0.3
? 0.3
? 0.3
? 0.3
I SOURCE (mA)
10
5
1
1
20
N/A
N/A
1
0
?
I SINK (mA)
10
5
1
1
20
20
20
N/A
0
?
*All signals reference to GND unless otherwise noted.
Thermal Information
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Characteristic,
QFN Package (Note 1)
R q JA
56
° C/W
Operating Junction Temperature Range (Note 2)
Operating Ambient Temperature Range
Maximum Storage Temperature Range
Moisture Sensitivity Level, QFN Package
T J
T A
T STG
MSL
0 to 125
0 to 85
? 55 to +150
1
° C
° C
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
*The maximum package power dissipation must be observed.
1. JESD 51 ? 5 (1S2P Direct ? Attach Method) with 0 Airflow.
2. JESD 51 ? 7 (1S2P Direct ? Attach Method) with 0 Airflow.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Unless otherwise stated: 0 ° C < T A < 85 ° C; 4.75 V < V CC < 5.25 V; All DAC Codes; C VCC = 0.1 m F)
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Error Amplifier
Input Bias Current
Input Offset Voltage (Note 3)
? 200
? 1.0
?
?
200
1.0
nA
mV
Open Loop DC Gain (Note 3)
Open Loop Unity Gain Bandwidth
(Note 3)
Open Loop Phase Margin (Note 3)
Slew Rate (Note 3)
Maximum Output Voltage
Minimum Output Voltage
C L = 60 pF to GND,
R L = 10 k W to GND
C L = 60 pF to GND,
R L = 10 k W to GND
C L = 60 pF to GND,
R L = 10 k W to GND
D V IN = 100 mV, G = ? 10 V/V,
1.5 V < COMP < 2.5 V,
C L = 60 pF, DC Load = ± 125 m A
10 mV of Overdrive
I SOURCE = 2.0 mA
10 mV of Overdrive
I SINK = 2.0 mA
?
?
?
?
2.20
?
100
15
70
5
V CC ?
20 mV
0.01
?
?
?
?
?
0.5
dB
MHz
°
V/ m s
V
V
3. Guaranteed by design. Not tested in production.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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