参数资料
| 型号： | NCP5386BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR BUCK 1/2PHASE 32-QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，Intel VR10、VR11、AMD CPU |
| 输入电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 输出数： | 2 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NCP5386, NCP5386A, NCP5386B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Unless otherwise stated: 0 ° C < T A < 85 ° C; 4.75 V < V CC < 5.25 V; All DAC Codes; C VCC = 0.1 m F)
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Error Amplifier
Output Source Current (Note 3)
Output Sink Current (Note 3)
10 mV Input Overdrive
COMP = 2.0 V
10 mV Input Overdrive
COMP = 1.0 V
2.0
2.0
?
?
?
?
mA
mA
Differential Summing Amplifier
VS+ Input Resistance
VS+ Input Bias Voltage
VS ? Bias Current
VS+ Input Voltage Range
VS ? Input Voltage Range
DC Gain VS+ to DIFFOUT
DAC Accuracy (measured at VS+)
? 3dB Bandwidth (Note 3)
Slew Rate (Note 3)
DRVON = Low
DRVON = High
DRVON = Low
DRVON = High
VS ? = 0 V
0.95 v D DIFFOUT / D VS ? v 1.05
0.5 V v DIFFOUT v 2.0 V
0.95 v D DIFFOUT / D VS ? v 1.05
0.5 V v DIFFOUT v 2.0 V
0 V v DAC ? VS+ v 0.3 V
Closed loop measurement including error
amplifier. (See Figure 20)
1.0 v DAC v 1.6
0.8 v DAC v 1.0
0.5 v DAC v 0.8
C L = 80 pF to GND,
R L = 10 k W to GND
D V IN = 100 mV,
?
?
?
?
?
? 0.3
? 0.3
0.99
? 0.5
? 5
? 8
?
?
1.5
17
0.05
0.65
33
?
?
?
?
?
?
10
5.0
?
?
?
?
?
2.0
0.3
1.01
0.5
5
8
?
?
k W
V
m A
V
V
V/V
%
mV
mV
MHz
V/ m s
DIFFOUT = 1.3 V to 1.2 V
Maximum Output Voltage
Minimum Output Voltage
Output Source Current (Note 3)
Output Sink Current
VS+ ? DAC = 1.0 V
I SOURCE = 2.0 mA
VS+ ? DAC = ? 0.8 V
I SINK = 2.0 mA
VS+ ? DAC = 1.0 V
DIFFOUT = 1.0 V
VS+ ? DAC = ? 0.8 V
DIFFOUT = 1.0 V
2.0
?
2.0
2.0
3.0
0.01
?
?
?
0.5
?
?
V
V
mA
mA
Internal Offset Voltage
VDRP pin offset voltage AND
Error Amp input voltage
?
1.30
V
VDRP Adaptive Voltage ? Positioning Amplifier
Current Sense Input to VDRP Gain
Current Sense Input to VDRP ? 3dB
Bandwidth (Note 3)
VDRP Output Slew Rate (Note 3)
VDRP Output Voltage Offset from
Internal Offset Voltage
Maximum VDRP Output Voltage
? 60 mV < (CSx ? CSxN) < +60 mV
(Each CS Input Independently)
C L = 30 pF to GND,
R L = 10 k W to GND
D VIN = 25 mV
1.3 V < VDRP < 1.9 V,
C L = 330 pF to GND,
R L = 1 k W to 10 k W connected to 1.3 V
CSx= CSxN = 1.3 V
CSx ? CSxN = 0.1 V (all phases),
I SOURCE = 1.0 mA
5.64
?
2.5
? 15
2.6
5.79
4
?
?
3.0
5.95
?
?
+15
?
V/V
MHz
V/ m s
mV
V
3. Guaranteed by design. Not tested in production.
http://onsemi.com
8
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