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参数资料
| 型号： | NCP5680MUTXG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 14/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LED DRIVER WHT HI EFF 24-UQFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Jun/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 拓扑： | 切换式电容器（充电泵） |
| 输出数： | 2 |
| 内部驱动器： | 无 |
| 类型 - 主要： | 闪灯/白光 |
| 类型 - 次要： | 白色 LED |
| 频率： | 850kHz ~ 1.15MHz |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 输出电压： | 4.5 V ~ 5.3 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-UFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 24-UQFN（3.5x3.5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
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NCP5680
Finally, the charge pump can be de ? activated, upon
command from the MCU, during a transmit burst pulse
applied to the PHSEN pin: see typical schematic Figure 6.
In this case, any on going flash keeps going, but no energy
is absorbed from the battery as depicted in Figures 7 and 8.
Similarly, the burst function can be used to smooth the
input battery current as depicted in Figure 9.
R2
6
470k
4
VSD
U2
NTJD1155L
1 5
TXMSK GND
23
D1
PHOTO
R1 22k
NCP5680
PHSEN
GND
Figure 5. Typical Pre Charge and Full Charge
Sequence
Figure 7. GSM Burst during the Re ? charge of
the SuperCAP
TX Mask = 1
Figure 6. Typical Transmit Burst Mask
Figure 8. GSM Burst during a Flash and
Re ? charge Sequence
Figure 9. GSM Active during a Re ? charge Cycle
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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