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参数资料
| 型号： | NCP5810DGEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD FOR NCP5810DG |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，正向和负向 |
| 输出及类型： | 2，非隔离 |
| 功率 - 输出： | 1W |
| 输出电压： | 4.6V，-5V |
| 输入电压： | 3.7V |
| 稳压器拓扑结构： | 反相 |
| 频率 - 开关： | 1.75MHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | NCP5810 |
| 其它名称： | NCP5810DGEVBOS |
NCP5810D
TYPICAL OPERATING CHARACTERISTICS
Figure 9. Continuous Conduction Mode (CCM)
1 SWN, 5 V/div DC, 4 I LN , 100 mA/div, DC, I OUTN = 100 mA
Figure 11. Positive Output Voltage Ripple in CCM
1 V OUTP , 10 mV/div AC, 4 I LP , 100 mA/div DC, I OUTP = 100 mA
EN
V OUTP
Figure 10. Discontinuous Current Mode (DCM)
1 SWN, 5 V/div, DC 4 I LN , 50 mA/div, DC, I OUTN = 20 mA
Figure 12. Negative Output Voltage Ripple in CCM
1 V OUTN , 10 mV/div AC, 4 I LN , 100 mA/div DC, I OUTN = 100 mA
EN
V OUTP
V OUTN
V OUTN
IC
Figure 13. Start-Up
1 VOUTP, 2 V/div, 2 VOUTN, 2 V/div, 3 EN pin, 2 V/div
Figure 14. Inrush Current at I OUT = 100 mA
1 VOUTP, 2 V/div, 2 VOUTN, 2 V/div, 3 EN pin, 5 V/div,
4 IC (Input Current), 100 mA/div
Figures 9 through 12 have been done at VBAT = 3.7 V and schematic depict Figure 1
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5810DGEVB | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCP5810D EVALUATION BOARD ;ROHS COMPLIANT: NO |
| NCP5810DMUTXG | 功能描述:LED照明驱动器 DUAL AMOLED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输入电压:11.5 V to 23 V 工作频率: 最大电源电流:1.7 mA 输出电流: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-16N |
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| NCP582DSQ18T1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.8V 150mA w/Enable Low Noise RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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