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参数资料
| 型号： | NCV7513AFTR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | FLEXMOS™ |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.0µs |
| 配置数： | 6 |
| 输出数： | 6 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-LQFP |
| 供应商设备封装： | 32-LQFP（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV7513A
V LOAD
M
POWER ? ON
RESET
+5V
R FILT
+5V OR
+ 3.3V
CB1
VCC1
FLTREF
VCC2
DRN0
R D0
NID9N05CL
ENA1
GAT0
RST
ENA2
DRN1
R D1
NID9N05CL
IN0
GAT1
IN1
DRN2
R D2
NID9N05CL
IN2
IN3
GAT2
DRN3
R D3
CB2
NID9N05CL
IN4
GAT3
IN5
DRN4
R D4
NID9N05CL
IRQ
FLTB
GAT4
I/O
CSB
DRN5
R D5
NID9N05CL
SCLK
GAT5
R FPU
R SPU
SI
STAB
GND
VDD
SO
VSS
Figure 2. Application Diagram
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV7513BFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
| NCV7513FTG | IC PREDRIVER HEX LOSIDE 32-LQFP |
| NCV7517BFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
| NCV8855BMNR2GEVB | BOARD EVALUATION NCV8855 ASIC |
| NCV8871BSTGEVB | BOARD EVAL NCV8871BST BOOST CTLR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV7513BFTR2G | 功能描述:功率驱动器IC HEX LO-SIDE PRE-Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV7513FTG | 功能描述:功率驱动器IC ANA HEX LOW-SIDE PRE DRIV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV7513FTR2G | 功能描述:功率驱动器IC ANA HEX LOW-SIDE PRE DRIV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV7517 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:FLEXMOS Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver |
| NCV7517BFTR2G | 功能描述:功率驱动器IC ANA HEX LOW-SIDE PRE DRIV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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