- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19917 > NCV8184PDG (ON Semiconductor)IC REG LDO ADJ 8SOIC-EP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NCV8184PDG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 8SOIC-EP |
| 标准包装： | 98 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 可调 |
| 输入电压： | 4 V ~ 42 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.35V @ 60mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 限制（最小）： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
NCV8184
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
2.0 oz Cu
1.0 oz Cu
T J = 25 ° C
0
100
200
300
400
500
600
700
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 33. DPAK 5 ? Lead, θ JA as a Function of the
Pad Copper Area, Board Material FR4
100
50% Duty Cycle
20%
10
10%
Duty Cycle, D = t
5%
2%
1 1%
Single Pulse
(1.0 in pad PCB) Die Size = 2.08 x 1.55 x 0.40 5.0% Active Area
0.1
Notes:
PDM
t1
t2
t1
2
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 34. DPAK 5 ? Lead Thermal Duty Cycle Curves
on 1.0 in Spreader Test Board, 1.0 oz Cu
100
Cu Area 100 mm 2
Cu Area 645 mm 2
10
1
0.1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 35. DPAK 5 ? Lead Single Pulse Heating Curve
http://onsemi.com
16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RM-0512S | CONV DC/DC 0.25W SGL 12VOUT SIP4 |
| VE-B6J-EU-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W |
| T86D476M016EBAL | CAP TANT 47UF 16V 20% 2917 |
| DS1211 | IC CONTROLLER 8-CHIP NV 20-DIP |
| V24C15H100BG3 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8184PDR2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 70mA SNGL TRCKNG REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8401 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8401_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8401ADTRKG | 功能描述:功率驱动器IC SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV8401DTRKG | 功能描述:MOSFET SELF PRTCT LS DRV TEMP/CURR LIMIT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。