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参数资料
| 型号： | NCV8401ADTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE TEMP/CURR DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 23 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NCV8401, NCV8401A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
80
45
70
60
50
150 ° C
100 ° C
I D = 3 A
40
35
30
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 5 V
40
30
25 ° C
25
20
25 ° C, V GS = 5 V
25 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 10 V
20
10
3
? 40 ° C
4
5
6
7
8
9
10
15
10
1
? 40 ° C, V GS = 5 V
3
5
? 40 ° C, V GS = 10 V
7
9
2.00
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
45
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
1.75
1.50
40
35
? 40 ° C
25 ° C
1.25
V GS = 5 V
30
1.00
25
100 ° C
0.75
V GS = 10 V
20
150 ° C
0.50
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
15
5
6
7
8
9
10
45
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
(I D = 5 A)
100
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage (V DS = 10 V)
40
35
30
25
20
V GS = 5 V
V GS = 10 V
10
1
0.1
0.01
0.001
150 ° C
100 ° C
25 ° C
15
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0001
? 40 ° C
10
15
20
25
30
35
40
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature (V DS = 10 V)
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
(V GS = 0 V)
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PDF描述 |
|---|---|
| A9CCA-0605F | FLEX CABLE - AFG06A/AF06/AFG06A |
| EEM11DRTI-S13 | CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND |
| EBM10DRTH-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| A9BAG-1106F | FLEX CABLE - AFF11G/AF11/AFE11T |
| EBM10DRKN-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8401DTRKG | 功能描述:MOSFET SELF PRTCT LS DRV TEMP/CURR LIMIT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8402A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8402ADDR2G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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