参数资料
| 型号： | NCV8403STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 53 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 15A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8403STT1G-ND NCV8403STT1GOSTR |
NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
100
100
10
100
100
L (mH)
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
1000
L (mH)
Figure 3. Single ? Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
1
10
100
1
10
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 5. Single ? Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
25
6V
7V
8V
9V
20
V DS = 10 V
? 40 ° C
20
10 V
15
25 ° C
15
10
5
T a = 25 ° C
5V
4V
3V
V GS = 2.5 V
10
5
100 ° C
150 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V DS (V)
Figure 6. On ? state Output Characteristics
http://onsemi.com
4
V GS (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8405ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8406ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8406ASTT3G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8450ASTT3G | IC DVR HIGH SIDE SOT-223-4 |
| NCV8450STT3G | IC DRIVER HIGH SIDE SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405ADTRKG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405ASTT1G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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