参数资料
| 型号： | NCV8403STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 53 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 15A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8403STT1G-ND NCV8403STT1GOSTR |
NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.2
1.0
1.1
1.0
I D = 1.2 mA
V DS = V GS
0.9
0.8
? 40 ° C
25 ° C
0.9
0.8
0.7
100 ° C
0.7
0.6
150 ° C
V GS = 0 V
0.6
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
250
T ( ° C)
Figure 14. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature
3.0
I S (A)
Figure 15. Source ? Drain Diode Forward
Characteristics
200
150
V DD = 25 V
I D = 5 A
R G = 0 W
2.5
2.0
V DD = 25 V
I D = 5 A
R G = 0 W
? dV DS /d t(on)
1.5
100
50
t d(off)
t f
1.0
0.5
dV DS /d t(off)
0
3
t d(on)
4
5
6
7
8
9
t r
10
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS (V)
Figure 16. Resistive Load Switching Time vs.
Gate ? Source Voltage
V GS (V)
Figure 17. Resistive Load Switching
Drain ? Source Voltage Slope vs. Gate ? Source
Voltage
100
75
V DD = 25 V
I D = 5 A
t d(off) , V GS = 10 V
t d(off) , V GS = 5 V
2.50
2.25
2.00
1.75
V DD = 25 V
I D = 5 A
? dV DS /d t(on) , V GS = 10 V
50
25
0
0
t f , V GS = 5 V
t d(on) , V GS = 5 V t d(on) , V GS = 10 V
500 1000
t f , V GS = 10 V
t r , V GS = 5 V
t r , V GS = 10 V
1500
2000
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
dV DS /d t(off) , V GS = 5 V
500
1000
dV DS /d t(off) , V GS = 10 V
? dV DS /d t(on) , V GS = 5 V
1500 2000
R G ( W )
Figure 18. Resistive Load Switching Time vs.
Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G ( W )
Figure 19. Drain ? Source Voltage Slope during
Turn On and Turn Off vs. Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8405ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405ADTRKG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405ASTT1G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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