参数资料
| 型号： | NCV8403STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 53 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 15A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8403STT1G-ND NCV8403STT1GOSTR |
NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
150
100
125
150 ° C
I D = 3 A
90
80
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
100
75
100 ° C
70
60
50
25 ° C, V GS = 5 V
100 ° C, V GS = 5 V
100 ° C, V GS = 10 V
50
25
3
? 40 ° C
4
25 ° C
5
6
7
8
9
10
40
30
20
1
25 ° C, V GS = 10 V
2 3 4
5
6
? 40 ° C, V GS = 5 V
? 40 ° C, V GS = 10 V
7 8 9
10
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
2.00
I D = 5 A
25
? 40 ° C
1.75
1.50
20
25 ° C
1.25
1.00
0.75
V GS = 5 V
V GS = 10 V
15
10
100 ° C
150 ° C
0.50
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
5
5
V DS = 10 V
6
7
8
9
10
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage
25
20
15
V GS = 5 V
V GS = 10 V
V DS = 10 V
100
10
1
0.1
150 ° C
100 ° C
V GS = 0 V
0.01
25 ° C
10
0.001
0.0001
? 40 ° C
5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.00001
10
15
20
25
30
35
40
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8405ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8406ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8406ASTT3G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8450ASTT3G | IC DVR HIGH SIDE SOT-223-4 |
| NCV8450STT3G | IC DRIVER HIGH SIDE SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8405ADTRKG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8405ASTT1G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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