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参数资料
| 型号： | NCV8440ASTT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
Protected Power MOSFET
2.6 A, 52 V, N ? Channel, Logic Level,
Clamped MOSFET w/ ESD Protection
Features
? Diode Clamp Between Gate and Source
? ESD Protection ? Human Body Model 5000 V
? Active Over ? Voltage Gate to Drain Clamp
? Scalable to Lower or Higher R DS(on)
? Internal Series Gate Resistance
? These are Pb ? Free Devices
Benefits
? High Energy Capability for Inductive Loads
? Low Switching Noise Generation
V DSS
(Clamped)
52 V
Gate
(Pin 1)
http://onsemi.com
R DS(ON) TYP I D MAX
95 m W @ 10 V 2.6 A
Drain (Pins 2, 4)
Overvoltage
Protection
Applications
? Automotive and Industrial Markets:
Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers
? NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site
and Control Changes
ESD Protection
Source (Pin 3)
MARKING
DIAGRAM
DRAIN
SOT ? 223
CASE 318E
STYLE 3
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
4
1
GATE
AYW
xxxxx G
G
2 3
SOURCE
DRAIN
A
Y
W
xxxxx
G
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= V8440 or 8440A
= Pb ? Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 8 of this data sheet.
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
November, 2011 ? Rev. 6
1
Publication Order Number:
NCV8440/D
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NCV8440STT1G | 功能描述:MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NCV8440STT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 2.6A 59V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NCV8450 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected High Side Driver with Temperature and Current Limit |
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| NCV8450STT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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