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参数资料
| 型号： | NCV8440ASTT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Rating
Drain ? to ? Source Voltage Internally Clamped
Gate ? to ? Source Voltage ? Continuous
Symbol
V DSS
V GS
Value
52 ? 59
± 15
Unit
V
V
Drain Current
? Continuous @ T A = 25 ° C
? Single Pulse (t p = 10 m s) (Note 1)
I D
I DM
2.6
10
A
Total Power Dissipation @ T A = 25 ° C (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Single Pulse Drain ? to ? Source Avalanche Energy
(V DD = 50 V, I D(pk) = 1.17 A, V GS = 10 V, L = 160 mH, R G = 25 W )
Load Dump Voltage (V GS = 0 and 10 V, R I = 2.0 W , R L = 9.0 W , td = 400 ms)
P D
T J , T stg
E AS
V LD
1.69
? 55 to 150
110
60
W
° C
mJ
V
Thermal Resistance,
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes, 1/8 ″ from Case for 10 Seconds
Junction ? to ? Ambient (Note 1)
Junction ? to ? Ambient (Note 2)
R q JA
R q JA
T L
74
169
260
° C/W
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. When surface mounted to a FR4 board using 1 ″ pad size, (Cu area 1.127 in 2 ).
2. When surface mounted to a FR4 board using minimum recommended pad size, (Cu area 0.412 in 2 ).
+
I D
DRAIN
I G
+
VGS
?
GATE
SOURCE
VDS
?
Figure 1. Voltage and Current Convention
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV8450STT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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