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参数资料
| 型号： | NCV8440ASTT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwis e noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 V, I D = 1.0 mA, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 V, I D = 1.0 mA, T J = ? 40 ° C to 125 ° C) (Note 4)
Temperature Coefficient (Negative)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 40 V, V GS = 0 V)
(V DS = 40 V, V GS = 0 V, T J = 125 ° C) (Note 4)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ± 8 V, V DS = 0 V)
(V GS = ± 14 V, V DS = 0 V)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
52
50.8
55
54
? 9.3
± 35
59
59.5
10
25
± 10
V
V
mV/ ° C
m A
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 100 m A)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 3.5 V, I D = 0.6 A)
(V GS = 4.0 V, I D = 1.5 A)
(V GS = 10 V, I D = 2.6 A)
Forward Transconductance (Note 3) (V DS = 15 V, I D = 2.6 A)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
1.1
1.5
? 4.1
135
150
95
3.8
1.9
180
160
110
V
mV/ ° C
m W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
155
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
V DS = 35 V, V GS = 0 V,
f = 10 kHz
C oss
C rss
60
25
Input Capacitance
C iss
170
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 10 kHz
C oss
C rss
70
30
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Not subject to production testing.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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参数描述 |
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| NCV8450STT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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