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参数资料
| 型号： | NDB6030PL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDB6030PLFSDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
10
I D = -30A
5000
8
6
4
2
V DS = -6V
-12V
-24V
3000
2000
1000
500
300
f = 1 MHz
V GS = 0 V
Cis s
C oss
C rss
0
0
10
20
30
40
50
150
0.1
0.3 1 2 5 10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8.Capacitance Characteristics .
S(O
LIM
0μ
1m
150
100
50
30
RD
N)
IT
10
s
1 0 μ s
s
7000
6000
5000
SINGLE PULSE
R θ JC =2° C/W
T C = 25°C
1 0 m
100
ms
10
5
2
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.0 °C/W
T C = 25°C
DC
s
4000
3000
2000
1000
1
1
2
5 10 20
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
50
0
0.001
0.01
0.1 1 10
SINGLE PULSE TIME (mS)
100
1,000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 2.0 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T C = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
t 1 ,TIME (ms)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
NDP6030PL Rev.B1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB603AL | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6050 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6050L | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6051 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6051L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB |
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