- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19191 > NDB6060L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NDB6060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDB6060LDKR |
Typical Electrical Characteristics
100
2
80
V GS = 10V
6.0
5.0
4.5
V
GS
= 3.0V
3.5
4.0
1 .5
60
4.0
4.5
5.0
40
20
3.5
3.0
1
5.5
6.0
10
2.5
0
0 .5
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
2
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
1.75
I D = 24A
V GS = 5V
1.8
V GS = 5.0V
T J = 125°C
1.5
1.25
1.6
1.4
25°C
1.2
1
1
0.75
0.8
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0
20
40
60
80
100
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.3
50
V DS = 10V
T = -55°C
J
25°C
125°C
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
40
30
1
0.9
0.8
20
0.7
10
0.6
0
1
2
3
4
5
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB6030PL | MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK |
| NTMFS4923NET1G | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
| 210-12MSTF | SWITCH RAISED ACTUATOR 12 SEC |
| RFD14N05LSM | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA |
| RFD14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| NDB6060L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。