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参数资料
| 型号： | NDB6060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDB6060LDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.15
I D = 250μA
80
1.1
10
T J = 125°C
25°C
1.05
1
-55°C
0.1
1
0.01
0.95
0.001
V GS = 0V
0.9
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
175
0.0001
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.6
1.8
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
4000
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
10
3000
2000
C iss
8
I D = 48A
V DS = 12V
48V
24V
1000
6
500
300
200
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
4
2
0
1
2
3
5
10
20
30
50
0
20
40
60
80
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
V DD
t on
t o f f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GEN
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V O U T
10%
10%
90%
INVERTED
R GS
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE W IDTH
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms.
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB6030PL | MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK |
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| 210-12MSTF | SWITCH RAISED ACTUATOR 12 SEC |
| RFD14N05LSM | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA |
| RFD14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| NDB6060L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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