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参数资料
| 型号： | NDC7003P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 340mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDC7003PDKR |
Typical Characteristics
1
V GS = -10V
-4.5V
2.2
0.8
-6.0V
-4.0V
-3.5V
2
V GS = -3.0V
1.8
0.6
1.6
-3.5V
0.4
-3.0V
1.4
-4.0V
-4.5V
0.2
1.2
1
-6.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
I D = -0.34A
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
5
I D = -0.17A
1.6
1.4
V GS = -10V
4
1.2
1
0.8
3
2
T A = 25 o C
T A = 125 o C
1
0.6
0.4
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
0.8
0.6
0.4
0.2
125 o C
1
0.1
0.01
0.001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0
1
2 3 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
0.0001
0.2
0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
NDC7003P Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NDC-L | 制造商:RRE 制造商全称:RRE 功能描述:Standard Magnets |
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