参数资料
型号: NDF03N60ZH
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 4.8A TO220FP
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 30W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
NDF03N60Z, NDD03N60Z
PACKAGE DIMENSIONS
IPAK
CASE 369D
ISSUE C
V
B
R
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
S
? T ?
SEATING
PLANE
F
1
4
2
3
A
K
D
3 PL
J
H
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.350 0.380
0.180 0.215
0.025 0.040
0.035 0.050
0.155 ???
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
G
0.13 (0.005)
M
T
http://onsemi.com
9
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