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参数资料
| 型号： | NDF04N60ZH |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 4.8A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
NDF04N60Z, NDD04N60Z
ORDERING INFORMATION
Order Number
NDF04N60ZG
NDF04N60ZH
NDD04N60Z ? 1G
NDD04N60ZT4G
Package
TO ? 220FP
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
TO ? 220FP
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
IPAK
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
DPAK
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape and Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
MARKING DIAGRAMS
4
Drain
NDF04N60ZG
or
NDF04N60ZH
AYWW
4
Drain
Gate
Source
Drain
TO ? 220FP
A
Y
WW
G, H
1 2 3
Gate Drain Source
IPAK
= Location Code
= Year
= Work Week
= Pb ? Free, Halogen ? Free Package
http://onsemi.com
6
2
1 Drain 3
Gate Source
DPAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| NDF05N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 5A 1.2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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