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参数资料
| 型号： | NDF04N62ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 620V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF04N62ZG-ND NDF04N62ZGOS |
NDF04N62Z, NDD04N62Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10,000
1200
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
1000
800
600
400
200
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
0
100
200
300
400
500
600
0
0
50
100
150
200
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
20
400
1000
15
QT
300
V DD = 310 V
I D = 4 A
V GS = 10 V
10
Qgs
V DS
Qgd
V GS
200
100
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V DS = 310 V
T J = 25 ° C
I D = 4 A
16 18
100
0
20
1
1
10
100
4
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
3
T J = 25 ° C
10
10 ms
1 ms
100 m s 10 m s
dc
2
1
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.01
1
Package Limit
10
100
1000
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF04N62Z
http://onsemi.com
4
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