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参数资料
| 型号： | NDF06N60ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1107pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF06N60ZG-ND NDF06N60ZGOS |
NDF06N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
12
10
T J = 25 ° C
V GS = 15 V
10 V
7V
6.8 V
6.6 V
12
10
V DS ≥ 30 V
8
6
6.4 V
6.2 V
8
6
4
6.0 V
4
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
5.8 V
2
0
0
5
10
15
20
5.6 V
25
2
0
3
4
5
T J = ? 55 ° C
6
7
8
2
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
1.75
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.5
I D = 3 A
T J = 25 ° C
1.5
T J = 25 ° C
1.25
1
0.5
1
0.75
V GS = 10 V
0
5
6
7
8
9
10
0.5
0
2
4
6
8
10
12
2.6
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.2
1.8
1.4
1.0
I D = 3 A
V GS = 10 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
0.6
T J = 100 ° C
0.2
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
100
200
300
400
500
600
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF06N60ZH | MOSFET N CH 600V 7.1A TO220FP |
| NDF06N62ZG | MOSFET N-CH 620V 1.2OHM TO220FP |
| NDF08N50ZG | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP |
| NDF08N50ZH | MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP |
| NDF08N60ZG | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF06N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF06N62Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 , |
| NDF06N62ZG | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF08N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 |
| NDF08N50ZG | 功能描述:MOSFET NFET T0220FP 600V 7.5A 85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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