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参数资料
| 型号： | NDF08N50ZH |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | * |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
NDF08N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
20.0
18.0
16.0
8.0 V
20.0
18.0
16.0
V DS = 25 V
14.0
12.0
10.0
V GS = 10 V
7.0 V
6.5 V
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
5.0
10.0
15.0
6.0 V
5.5 V
5.0 V
20.0
25.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
3
T J = 150 ° C
4 5
6
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
7 8
9
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.00
0.95
0.90
0.85
I D = 3.6 A
T J = 25 ° C
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.75
0.80
0.75
0.70
0.70
0.65
0.60
0.55
0.65
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10
0.50
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
2.75
2.50
2.25
I D = 3.6 A
V GS = 10 V
1.15
1.10
I D = 1 mA
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
1.05
1.00
0.95
0.25
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.90
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. BV DSS Variation with Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF08N60ZG | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF08N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 ? |
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| NDF08N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 0.65 ?, 600 Volts |
| NDF10N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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