- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDF10N62ZG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDF10N62ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 620V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1425pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF10N62ZG-ND NDF10N62ZGOS |
NDF10N62Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
3500
10
1
0.1
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
3000
2500
2000
1500
1000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
500
0
0
C rss
C oss
25
50
75
100
125
150
175
200
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
20
400
1000
15
V DS
300
100
V DD = 310 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
10
Q gs
QT
Q gd
V GS
200
10
t d(on)
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V DS = 310 V
I D = 10 A
T J = 25 ° C
40 45
100
0
50
1
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
10
8
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
1 ms
100 m s
10 m s
6
4
2
1
0.1
Mounted on 2 ″ sq. FR4
board (1 ″ sq. 2 oz. Cu 0.06 ″
thick single sided) with one
die operating
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.01
1
Package Limit
10
100
1000
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Source Current vs.
Forward Voltage
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF10N62Z
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF11N50ZG | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP |
| NDF11N50ZH | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| NDFEB 6X10MM | MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM |
| NDP6020P | MOSFET P-CH 20V 24A TO-220 |
| NDP6030PL | MOSFET P-CH 30V 30A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF11N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 |
| NDF11N50ZG | 功能描述:MOSFET 500V 0.52 OHM TO- 220FP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF11N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 10.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF653 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65310 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。