参数资料
型号: NDF10N62ZG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP
产品目录绘图: MOSFET TO-220, TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 620V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1425pF @ 25V
功率 - 最大: 36W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
其它名称: NDF10N62ZG-ND
NDF10N62ZGOS
NDF10N62Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
Duty Cycle = 50%
1 20%
10%
5%
0.1
2%
1%
0.01
Single Pulse Simulation
R q JC Steady State = 3.4 ° C/W
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Impedance for NDF10N62Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 14. Isolation Test Diagram
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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