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参数资料
| 型号： | NDF11N50ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF11N50ZG-ND NDF11N50ZGOS |
NDF11N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
25
20
V GS = 10 V
25
20
V DS = 25 V
7.0 V
15
6.5 V
15
10
5
6.0 V
10
5
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
5.5 V
T J = ? 55 ° C
0
0
5
5.0 V
10
15
20
25
0
3
4
5
6
7
8
9
10
1.00
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
1.00
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
I D = 4.5 A
T J = 25 ° C
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.40
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
0.40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
2.75
2.50
2.25
I D = 4.5 A
V GS = 10 V
1.15
1.10
I D = 1 mA
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
1.05
1.00
0.95
0.25
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.90
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. BV DSS Variation with Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF11N50ZH | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| NDFEB 6X10MM | MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM |
| NDP6020P | MOSFET P-CH 20V 24A TO-220 |
| NDP6030PL | MOSFET P-CH 30V 30A TO-220 |
| NDP6060L | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF11N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 10.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF653 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65310 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65312 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65314 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
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