- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18745 > NDP6060 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NDP6060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I S
I SM
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
48
144
A
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 24 A (Note 1)
0.9
1.3
V
T J = 125°C
0.8
1.2
t rr
I rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
V GS = 0 V, I F = 48 A,
dI F /dt = 100 A/μs
35
2
87
3.6
140
8
ns
A
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1.5
62.5
° C/W
° C/W
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 56-1 | XFRMR PWR 115V 56VCT 1A |
| GLCB01A1A | SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT |
| 12.8-1 | XFRMR PWR 115V 12.8VCT 1A |
| MAX2686LEWS+T | IC LNA GPS/GNSS 4WLP |
| FQPF27N25 | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP6060 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| NDP6060_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| NDP606A | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。