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参数资料
| 型号： | NDP6060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Electrical Characteristics
100
2
80
60
V GS = 20V
12
10
9.0
8.0
7.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 6.0V
7.0
8.0
9.0
40
6.0
1.2
1
10
12
20
5.0
0.8
20
0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
0
20
40
60
80
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 1. On-Region Characteristics
2
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
2.5
1.75
I D = 24A
V GS = 10V
2
V GS = 10V
T J = 125°C
1.5
1.25
1
0.75
1.5
1
25°C
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0
20
40
60
80
100
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
1.2
50
V DS = 10V
T = -55°C
J
125°C
25°C
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
1
40
0.9
30
0.8
20
10
0.7
0.6
0
2
4
6
8
10
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 56-1 | XFRMR PWR 115V 56VCT 1A |
| GLCB01A1A | SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT |
| 12.8-1 | XFRMR PWR 115V 12.8VCT 1A |
| MAX2686LEWS+T | IC LNA GPS/GNSS 4WLP |
| FQPF27N25 | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP6060 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| NDP6060_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| NDP606A | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
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