- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDS332P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDS332P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 1.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS332PDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.12
1
V GS =0V
I D = -250μA
1.08
0.1
0.05
1.04
0.01
T J = 125°C
25°C
1
-55°C
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature .
500
Figure 8. Body Diode ForwardVoltageVariation with
Source Current and Temperature .
5
I D = -1A
V DS = -5V
300
200
100
C iss
C oss
4
3
2
-15V
-10V
50
30
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
1
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
V DD
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
10%
50%
PULSE WIDTH
50%
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDS332PRev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS351AN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| NDS355AN | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
| NDS8425 | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS332P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| NDS332P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, SOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):410mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| NDS332P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CH MOSFET, -20V, 1A, SUPER SOT-3 |
| NDS332P_D87Z | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS332P_Q | 功能描述:MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。