| 型号: | NDT2955/J23Z |
| 厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 2.5 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数: | 3/6页 |
| 文件大小: | 165K |
| 代理商: | NDT2955/J23Z |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT3055 | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NDT3055_J23Z | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT3055-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series N-Channel 60 V 0.1 O Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 |
| NDT3055L | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |