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参数资料
| 型号： | NDT2955/J23Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | NDT2955/J23Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE080490 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| NE34018-64 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NDT3055(J23Z) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223 |
| NDT3055_J23Z | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT3055-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series N-Channel 60 V 0.1 O Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 |
| NDT3055L | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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