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参数资料
| 型号： | NDT452AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 690pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT452APDKR |
Typical Electrical Characteristics
1.1
20
1.08
I D = -250μA
10
5
V GS = 0V
1.06
1.04
1
T J = 125°C
25°C
-55°C
1.02
0.1
1
0.98
0.01
0.96
0.94
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
0
0.4 0.8 1.2 1.6
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
2000
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
10
1000
8
I D = -5.0A
V DS = -5V
-10V
-20V
C iss
6
500
300
C oss
4
200
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
2
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
5
10
15
20
25
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
-V DD
t on
t off
V IN
R L
t d(on)
t r
90%
t d(off)
90%
t f
D
V OUT
V GS
R GEN
G
DUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
NDT452AP Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT454P | MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 |
| NDT456P | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 |
| NE34018-EVGA19 | EVAL BOARD NE34018 1.9GHZ |
| NE5520279A-EVPW09 | EVAL BOARD NE5520279A 900MHZ |
| NE6510179A-EVPW35 | EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT452AP(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| NDT452AP | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
| NDT452AP_J23Z | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452AP-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series P-Ch 30V 0.065 O Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 |
| NDT452APX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 5A SOT223 |
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