- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NDT454P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDT454P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDT454PFSDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.1
20
1.08
I D = -250μA
10
5
V GS = 0V
1.06
1
1.04
T J = 125°C
25°C
1.02
1
0.98
0.96
0.94
0.1
0.01
0.001
-55°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
3000
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature.
10
2000
8
I D = -5.9A
V
DS
= -10V
-15V
-20V
1000
C iss
C oss
6
500
4
300
200
f = 1 MHz
C rss
2
V GS = 0 V
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
0
10
20
30
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
-V DD
t on
t off
V IN
R L
t d(on)
t r
90%
t d(off)
90%
t f
D
V OUT
V GS
R GEN
G
DUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
NDT454P Rev. D2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT456P | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 |
| NE34018-EVGA19 | EVAL BOARD NE34018 1.9GHZ |
| NE5520279A-EVPW09 | EVAL BOARD NE5520279A 900MHZ |
| NE6510179A-EVPW35 | EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ |
| NE651R479A-EVPW35 | EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT454P(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223 |
| NDT454P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
| NDT455N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT455N(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223 |
| NDT456 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。