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参数资料
| 型号： | NE34018-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | NE34018-A |
Data Sheet P11618EJ4V0DS00
14
NE34018
PACKAGE DIMENSIONS
4-PIN SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Gate
3. Source
4. Drain
0.9±0.1
0.15
+0.1 –0.05
0.3
0
to
0.1
3
(1.3)
2.0±0.2
(1.25)
0.65
0.60
4
2
1
2.1±0.2
1.25±0.1
0.4
+0.1 –0.05
0.3
+0.1 –0.05
0.3
+0.1 –0.05
0.3
+0.1 –0.05
V63
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE34018-64 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| NE34018-T1-63 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| NE6500179A | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| NEF0100151B0C | 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NES230 | 5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-EVGA19 | 功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Gain at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE34018-EVNF19 | 功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Noise Figure at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE34018-T1 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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