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参数资料
| 型号： | NE3510M04-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 181K |
| 描述： | HJ-FET N-CH 4GHZ M04 |
| 产品目录绘图： | NE3, NE6 Series |
| 标准包装： | 120 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 4GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 97mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 15mA |
| 功率 - 输出： | 11dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | M04 |
| 供应商设备封装： | M04 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PG10676EJ01V0DS
3
NE3510M04
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA
=+25CC, unless otherwise specified)
250
200
150
100
50
0
50 100 150 200 250
VDS
= 2 V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0
1.2
0.8
0.9
1.0
1.1
0.3
0.6
0.7
0.1
0.2
0.0
051015
24
= 15 mA
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
NFmin
Ga
VDS
= 2 V
ID
0.5
0.4
1.2
f = 2.0 GHz
0.8
0.9
VDS
= 2 V
1.0
1.1
0.3
0.6
0.7
0.1
0.2
0.0
0 5 10 15 20 25 30 35
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
NFmin
Ga
0.5
0.4
1.2
0.8
0.9
1.0
1.1
0.3
0.6
0.7
0.1
0.2
0.0
0 5 10 15 20 25 30 35
24
f = 4.0 GHz
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
NFmin
Ga
VDS
= 2 V
0.5
0.4
Total Power Dissipation P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA
(
CC)
vs. AMBIENT TEMPERATURE
TOTAL POWER DISSIPATION
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm2
1.0 mm (t) )
Drain Current I
D
(mA)
Gate to Source Voltage VGS
(V)
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Frequency f (GHz)
Minimum Noise Figure NF
min
(dB)
Associated Gain G
a
(dB)
ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY
MINIMUM NOISE FIGURE,
Drain Current I
D
(mA)
Drain to Source Voltage VDS
(V)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN CURRENT vs.
Drain Current ID
(mA)
Minimum Noise Figure NF
min
(dB)
Associated Gain G
a
(dB)
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT
MINIMUM NOISE FIGURE,
Drain Current ID
(mA)
Minimum Noise Figure NF
min
(dB)
Associated Gain G
a
(dB)
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT
MINIMUM NOISE FIGURE,
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
12345
VGS
= 0 V
–0.2 V
–0.3 V
–0.1 V
–0.4 V
–0.5 V
–0.6 V
–0.7 V
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX825-66.6666M | OSC 66.6666MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| NE3508M04-A | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| CWX825-64.0M | OSC 64.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| C3292-80.000 | OSC 80.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| C3292-75.000 | OSC 75.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3510M04-T2 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NE3510M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3511S02-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1C | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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