- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21746 > NE3510M04-A (CEL)HJ-FET N-CH 4GHZ M04 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NE3510M04-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 181K |
| 描述： | HJ-FET N-CH 4GHZ M04 |
| 产品目录绘图： | NE3, NE6 Series |
| 标准包装： | 120 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 4GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 97mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 15mA |
| 功率 - 输出： | 11dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | M04 |
| 供应商设备封装： | M04 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PG10676EJ01V0DS
6
NE3510M04
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Source
4. Gate
0.59±0.05
0.11
+0.1
–0.05
(Bottom View)
3
4
2
1
1.25
2.0±0.1
1.30
(1.05)
0.60
0.65
0.65
0.65
1.30
1.25
2.0±0.1
2
1
3
4
1.25±0.1
2.05±0.1
0.30
+0.1
–0.05
0.40
+0.1
–0.05
0.30
+0.1
–0.05
0.30
+0.1
–0.05
V81
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX825-66.6666M | OSC 66.6666MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| NE3508M04-A | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| CWX825-64.0M | OSC 64.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| C3292-80.000 | OSC 80.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| C3292-75.000 | OSC 75.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3510M04-T2 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NE3510M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3511S02-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1C | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。