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参数资料
| 型号： | NE3515S02-T1C-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 12.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 88mA |
| 噪音数据： | 0.3dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 14dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10708EJ01V0DS
2
NE3515S02
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source
Voltage
VDS
1
2
3
V
Drain Current
ID
5
10
25
mA
Input Power
Pin
?
?
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS
= ?3
V
?
0.5
10
?A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS
= 2 V, VGS
= 0
V
32
60
88
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS
= 2 V, ID
= 100 ?A
?0.2
?0.8
?1.4
V
Transconductance
gm
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA
45
70
?
mS
Noise Figure
NF
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA, f = 12 GHz
?
0.3
0.5
dB
Associated Gain
Ga
11
12.5
?
dB
Gain 1 dB Compression
PO (1 dB)
VDS
= 3 V, ID
= 25 mA set (Non-RF),
?
+14
?
dBm
Output Power
f = 12 GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3517S03-A | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
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| NE5511279A-A | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE3516S02-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
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| NE3516S02-T1C-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
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