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参数资料
| 型号： | NE3515S02-T1C-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 12.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 88mA |
| 噪音数据： | 0.3dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 14dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10708EJ01V0DS
4
NE3515S02
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3517S03-A | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
| NE3520S03-A | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| NE5500234-T1-AZ | MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89 |
| NE5511279A-A | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
| NE5520379A-A | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3515S02-T1D-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3516S02 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| NE3516S02-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| NE3516S02-T1C | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| NE3516S02-T1C-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
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