参数资料
| 型号： | NE5517NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-DIP |
| 包装： | 管件 |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
9
Stereo Amplifier With Gain Control
Figure 24 shows a stereo amplifier with variable gain via
a control input. Excellent tracking of typical 0.3 dB is easy
to achieve. With the potentiometer, RP, the offset can be
adjusted. For AC-coupled amplifiers, the potentiometer
may be replaced with two 510
W resistors.
Modulators
Because the transconductance of an OTA (Operational
Transconductance Amplifier) is directly proportional to IABC,
the amplification of a signal can be controlled easily. The
output current is the product from transconductance
×input
voltage. The circuit is effective up to approximately 200 kHz.
Modulation of 99% is easy to achieve.
4
3
+
NE5517/A
11
+VCC
8
VOUT1
VCC
13
6
14
+
NE5517/A
9
VC
RS
VOUT2
VCC
VIN1
VIN2
RIN
RP
+VCC
RD
1
16
12
RL
+VCC
INT
+VCC
RL
10
IABC
15
RP
+VCC RD
1k
RC
1k
Figure 24. Gain-Controlled Stereo Amplifier
10kW
30kW
10kW
15kW
10kW
5.1kW
VCC
4
6
3
+
NE5517/A
8
RS
VOUT
VCC
VIN1
1
11
+VCC
RL
5
ID
2
RC
VIN2
SIGNAL
IABC
7
CARRIER
INT
+VCC
VOS
Figure 25. Amplitude Modulator
30kW
15kW
1kW
10kW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 208457064012025 | CONNECTOR RECEPT 64POS STR |
| RNCP1206FTD1K50 | RES 1.5K OHM 1/2W 1% 1206 SMD |
| NCV33274ADG | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
| 1V5KE27CA | TVS BIDIRECT 27V 1500W DO201AE |
| 108457032005025 | CONN HEADER MALE 32POS STR SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-EVPW04 | 功能描述:射频开发工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520279A-EVPW09 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520279A-EVPW24 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
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