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参数资料
| 型号： | NE5520279A-EVPW24 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD NE5520279A 2.4GHZ |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | MOSFET |
| 频率： | 2.4GHz |
| 适用于相关产品： | NE5520279@2.4GHz |
| 已供物品： | 板 |
NE5520279A
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = +25 ? C)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
Data Sheet PU10123EJ03V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD20P06LG | MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK |
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| A301 | ADAPTER TEMP W/PROBE FOR DMM |
| UPC8211TK-E2-A | IC AMP LOW NOISE 6-MINIMOLD |
| EVB71101B-418-FSK-C | EVALUATION BOARD TH71101 RECEIVR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5520279A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 15V 0.6A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE5520279A-T1-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520379A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520379A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520379A-EVPW04 | 功能描述:射频模块 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Linx Technologies 产品:Transceiver Modules 频带:902 MHz to 928 MHz 输出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口类型:UART 工作电源电压:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 传输供电电流:38.1 mA 接收供电电流:22.7 mA 天线连接器类型:U.FL 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm |
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