参数资料
| 型号： | NE57811S/G,518 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR TERM REGULATOR SOT756 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 应用： | 转换器，DDR，DDR2 |
| 输入电压： | 1.6 V ~ 3.6 V |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SPAK-5 |
| 供应商设备封装： | 5-SPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
INTEGRATED CIRCUITS
NE57811
Advanced DDR memory termination power
with shutdown
Product data
Supersedes data of 2002 Jul 16
Philips
Semiconductors
2003 Apr 02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NIC9N05TS1 | MOSFET PWR N-CH 55V 2.6A DIE |
| NID5001NT4 | MOSFET N-CH 42V 33A DPAK |
| NID5003NT4 | MOSFET N-CH 42V 20A DPAK |
| NID5004NT4G | MOSFET N-CH 40V 6.5A DPAK |
| NID6002NT4 | IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE57814 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:DDR memory termination regulator with standby mode and enhanced efficiency |
| NE57814DD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DDR TERM W/STANDBY 8SOIC |
| NE57814DD,518 | 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR TERMINATOR REG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L |
| NE57814DD518 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| NE57835 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-173 |
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