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参数资料
| 型号： | NE650103M-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 221K |
| 描述： | MESFET GAAS 2.7GHZ 3M |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | MESFET |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 5A |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 40dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 3M |
| 供应商设备封装： | 3M |
| 包装： | 托盘 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1
(TC
= 25
°C)
SYMBOLS PARAMETERS UNITS RATINGS
VDS
Drain to Source Voltage V 15
VGD
Gate to Drain Voltage V -18
VGS
Gate to Source Voltage V -7.0
IDS
Drain Current A 5
IGF
Gate Current mA 45
PT
Total Power Dissipation W 33
TCH
Channel Temperature
°C 175
TSTG
Storage Temperature
°C -65 to +150
RECOMMENDED OPERATING LIMITS
SYMBOLS PARAMETERS UNITS TYP MAX
VDS
Drain to Source Voltage V 10.0 10.0
TCH
Channel Temperature
°C150
GCOMP
Gain Compression dB 3.0
Rg
Gate Resistance
?
100
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
NE650103M
NE650103M-A 3M
PART NUMBER PACKAGE
ORDERING INFORMATION
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A = 25°C)
Total Power Dissipation, P
D
(W)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
Case Temperature, TC
(
°C)
33 W
18 4350
35
30
25
20
15
10
0
150 200175
100
0
ABSOL
RECOMMENDEDUTE MAXIMU
M
VGS = 0 V
IDS = 1 A/Div
VDS
= 0.5 V/Div
VGS
= -0.5 V
VGS = -2.5 V
0
1
0
3
2
5
4
7
6
8
10
9
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
VGS = -1.5 V
VGS = -1.0 V
VGS = -0.5 V
VGS = -2.0 V
Drain Current, (A)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Drain To Source Voltage, (V)
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