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参数资料
| 型号： | NE650103M-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 221K |
| 描述： | MESFET GAAS 2.7GHZ 3M |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | MESFET |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 5A |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 40dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 3M |
| 供应商设备封装： | 3M |
| 包装： | 托盘 |
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A = 25°C)
NE650103M
0
15
20
25
30
35
40
F = 880 MHz
45
VDS = 10 V,
-20
0
20
40
60
80
100
IDSQ = 1.5 A
5101520250 0
Pout
PAE
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
Output Power, P
OUT
(dBm)
Input Power, PIN
(dBm)
Power Added Efficiency, P
AE
(%)
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
IDSQ = 2 A
20 25 30 35 40
VDS = 10 V,
F1 = 1.9575 GHz
F2 = 1.9575 GHz
IDSQ = 1 A
IDSQ = 1.5 A
THIRD ORDER INTERMODULATION
DISTORTION vs. OUTPUT POWER
Intermodulation Distortion, IM3 (dBc)
2-Tone Output Power, POUT
(dBm)
45
40
35
30
25
20
10 15 20 25 30 35
0
20
40
60
80
100
VDS = 10 V,
IDSQ = 1.5 A
Rg = 100 ?
F = 1.5 GHz
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
Power Added Efficiency, P
AE
(%)
Output Power, P
OUT
(dBm)
Input Power, PIN
(dBm)
10 15 20 25 30 35
0
20
20
25
30
35
40
45
Pout (IDSQ = 1 A)
Pout (IDSQ = 1.5 A)
Pout (IDSQ = 2 A)
PAE (IDSQ = 1 A)
PAE (IDSQ = 1.5 A)
PAE (IDSQ = 2 A)
60
80
100
40
f =1.96 GHz
VDS
= 10 V
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
Power Added Efficiency, P
AE
(%)
Output Power, P
OUT
(dBm)
Input Power, PIN
(dBm)
Gate Current, I
G
(mA)
Drain Current, I
DS
(A)
Input Power, PIN
(dBm)
10
0
1
2
3
4
15 20 25 30 35
-10
0
10
20
30
ID (DSQ = 1 A)
ID (DSQ = 2 A)
IG (DSQ = 1.5 A
ID (DSQ = 1.5 A)
IG (DSQ = 1 A)
IG (DSQ = 2 A)
f =1.96 GHz
VDS
= 10 V
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