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参数资料
| 型号： | NE650103M-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 221K |
| 描述： | MESFET GAAS 2.7GHZ 3M |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | MESFET |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 5A |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 40dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 3M |
| 供应商设备封装： | 3M |
| 包装： | 托盘 |
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A = 25°C)
NE650103M
ZSOURCE
= Impedance of the input circuit as seen by the Gate
ZLOAD
= Impedance of the output circuit as seen by the Drain
ZSOURCE
ZLOAD
f (GHz) ZSOURCE (?????)ZLOAD
(
?????)))))
1.45 4.96 - j3.16 5.60 - j5.02
1.50 3.97 - j2.10 4.94 - j3.49
1.55 2.99 - j1.0 4.32
- j2.22
2.57 2.71 + j0.23 5.50 - j5.58
2.60 2.64 + j0.75 5.36 - j5.07
2.63 2.54 + j1.26 5.16
- j4.59
LARGE SIGNAL IMPEDANCES
(VDS
= 10 V, I
DSQ
= 1.5 A)
VDS = 10 V,
IDSQ = 1.5 A
F1=2.2975 GHz
F2=2.3025 GHz
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
20 25 30 35 40
IM3
IM5
INTERMODULATION DISTORTION
vs. OUTPUT POWER
Intermodulation Distortion, IM (dBc)
2-Tone POUT
(dBm)
45
40
35
30
25
20
15 20 25 30 35 40
100
80
60
40
20
0
VDS = 10 V,
IDSQ = 1.5 A
Rg = 100 ?
F = 2.65 GHz
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
Power Added Efficiency, P
AE
(%)
Output Power, P
OUT
(dBm)
Input Power, PIN
(dBm)
45
VDS = 10 V,
IDSQ = 1.5 A
Rg = 100
?
40
F = 2.3 GHz
35
30
25
20
0
10 10 20 25 30 35
20
40
60
80
100
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
Output Power, P
OUT
(dBm)
Input Power, PIN
(dBm)
Power Added Efficiency, P
AE
(%)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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