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参数资料
| 型号： | NE6510179A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 2.8A |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 32.5dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
NE6510179A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN VOLTAGE
(T A = 25 ° C)
TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN
CURRENT vs. GATE VOLTAGE
3
2.50
1.00
2.5
V GS =
2.00
0.8
0V
2.0
1.5
1.0
-0.2 V
-0.4 V
1.50
1.00
0.6
0.4
0.5
-0.6 V
0.50
0.2
-0.8 V
0
0
1
2
3
4
5
6
-1.0 V
0
-1.0
-.80
-.60
-.40
-.20
0.00
0
1.0E+07
Drain Voltage, V D (V)
ARRHENIUS PLOTS vs.
JUNCTION TEMPERATURE
30
Gate Voltage, G V (V)
MAXIMUM AVAILABLE GAIN vs.
FREQUENCY
25
1.0E+06
1.35E+06 Hrs
(T CH = 110 ° C)
20
1.0E+05
E A = 1.0 E V
15
1.0E+04
1805 Hrs
(T CH = 217 ° C)
10
2.2 V, 200 mA
4.6 V, 300 mA
3.5 V, 150 mA
1.0E+03
5
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
0.1
4.0
Junction Temperature, T/T CH (1/K/1000)
Frequency, GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| FMBC-0994-H100 | FMAC INPUT FILTER 3PHASE 110A |
| B3S-1102P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| B3SL-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
| CWX815-40.0M | OSC 40.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE6510179A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 8V 2.8A 4-Pin SMT T/R |
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