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参数资料
| 型号： | NE6510179A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 2.8A |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 32.5dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
NE6510179A
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT PERFORMANCE at V DS = 3 V and V DS = 5 V
PAE & GAIN
vs. OUTPUT POWER
PAE & GAIN
vs. OUTPUT POWER
14
60
14
F C = 1.96 GHz, V DS = 5V
50
45
12
50
12
40
10
8
6
4
40
30
20
10
8
6
4
35
30
25
20
15
2
Gain, I DSQ = 200 mA
Gain, I DSQ = 600 mA
PAE, I DSQ = 200 mA
10
2
Gain, I DSQ = 200 mA
Gain, I DSQ = 600 mA
PAE, I DSQ = 200 mA
PAE, I DSQ = 600 mA
10
5
0
20
F C = 1.96 GHz, V DS = 3V
22 24 26 28
PAE, I DSQ = 600 mA
30 32
34
0
0
20
22
24
26
28
30
32
34
0
36
Output Power, P OUT (dBm)
GAIN & SATURATED POWER
vs. FREQUENCY
Output Power, P OUT (dBm)
GAIN & SATURATED POWER
vs. FREQUENCY
16
14
12
10
P OUT = 16 dB for Gain
Gain, I DSQ = 100 mA
Gain, I DSQ = 800 mA
33
32
31
30
16
14
12
10
P OUT = 16 dB for Gain
29 dB for P SAT
Gain, I DSQ = 100 mA
Gain, I DSQ = 800 mA
36
35
34
33
8
29 dB for P SAT
V DS = 3 V
P OUT , I DSQ = 100 mA
P OUT , I DSQ = 800 mA
29
8
V DS = 5 V
P OUT , I DSQ = 100 mA
P OUT , I DSQ = 800 mA
32
1.90
1.92
1.94
1.96
1.98
2.00
2.02
1.91
1.92
1.94
1.96
1.98
2.00
2.02
Frequency, f (GHz)
THIRD ORDER INTERMODULATION
vs. TOTAL OUTPUT POWER
Frequency, f (GHz)
THIRD ORDER INTERMODULATION
vs. TOTAL OUTPUT POWER
15
20
F C = 1.96 GHz, P OUT = Each Tone
V DS = 3 V
15
20
I DSQ = 100 mA
I DSQ = 200 mA
I DSQ = 400 mA
I DSQ = 600 mA
I DSQ = 800 mA
25
30
35
25
30
35
40
I DSQ = 100 mA
I DSQ = 200 mA
I DSQ = 400 mA
I DSQ = 600 mA
40
F C = 1.96 GHz, P OUT = Each Tone
V DS = 5 V
45
20
21
22
23
24
25
26
27
I DSQ = 800 mA
28 29 30
45
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
Total Output Power, P OUT (dBm)
Total Output Power, P OUT (dBm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| FMBC-0994-H100 | FMAC INPUT FILTER 3PHASE 110A |
| B3S-1102P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| B3SL-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
| CWX815-40.0M | OSC 40.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE6510179A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 8V 2.8A 4-Pin SMT T/R |
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