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参数资料
| 型号： | NE6510179A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 2.8A |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 32.5dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
NE6510179A
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (T A = 25 ° C)
Note: This file and many other s-parameter files can be downloaded from www.cel.com
j50
90 °
j25
j100
150 °
120 °
60 °
30 °
j10
0
10
25
50
100
0
180 °
0 °
-j10
Coordinates in Ohms
-150 °
-30 °
-j25
-j100
Frequency in GHz
V D = 3.5 V, I D = 150 mA
-120 °
-60 °
NE6510179A
V D = 3.5 V, I D = 150 mA
-j50
-90 °
FREQUENCY
S 11
S 21
S 12
S 22
K
MAG 1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
3.30
3.40
3.50
3.60
3.70
3.80
3.90
4.00
0.956
0.955
0.956
0.955
0.955
0.955
0.955
0.954
0.954
0.953
0.953
0.953
0.953
0.952
0.951
0.951
0.952
0.951
0.951
0.950
0.950
0.950
0.950
0.950
0.949
0.949
0.949
0.949
0.950
0.949
0.949
0.949
0.949
0.949
0.951
0.950
179.67
177.71
175.93
174.33
172.86
171.45
170.09
168.81
167.51
166.27
165.06
163.84
162.63
161.41
160.23
159.05
157.87
156.61
155.50
154.36
153.22
152.11
150.95
149.81
148.69
147.51
146.33
145.20
144.05
142.93
141.85
140.70
139.60
138.47
137.45
136.38
2.813
2.343
2.016
1.765
1.573
1.418
1.289
1.187
1.097
1.021
0.955
0.898
0.847
0.802
0.761
0.726
0.693
0.662
0.635
0.611
0.587
0.565
0.545
0.528
0.510
0.494
0.478
0.465
0.452
0.439
0.427
0.416
0.405
0.394
0.384
0.374
82.32
79.83
77.44
75.21
73.00
70.78
68.54
66.57
64.47
62.40
60.35
58.36
56.38
54.34
52.35
50.45
48.50
46.53
44.55
42.67
40.91
39.04
37.19
35.36
33.69
31.91
30.21
28.41
26.80
25.05
23.40
21.75
20.23
18.70
17.31
15.99
0.018
0.018
0.018
0.018
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.021
0.020
0.021
0.021
0.021
0.021
0.022
0.022
0.022
0.023
0.023
0.023
0.023
5.20
5.02
5.41
5.58
5.93
6.32
6.08
6.55
6.48
6.73
6.94
6.98
7.33
7.16
7.48
8.27
8.79
8.70
8.69
8.71
8.92
8.87
9.41
9.87
10.32
10.98
11.59
12.25
13.46
13.17
13.36
13.56
13.89
13.96
14.08
14.68
0.842
0.842
0.843
0.843
0.842
0.842
0.841
0.843
0.842
0.842
0.843
0.843
0.843
0.842
0.844
0.844
0.845
0.844
0.845
0.846
0.847
0.847
0.848
0.850
0.852
0.852
0.854
0.855
0.857
0.858
0.860
0.862
0.864
0.865
0.869
0.875
176.48
175.21
173.93
172.76
171.63
170.47
169.22
168.26
167.19
166.12
165.06
164.05
163.06
161.99
160.95
159.99
159.02
158.03
157.05
156.09
155.25
154.33
153.36
152.46
151.70
150.82
149.99
149.11
148.32
147.55
146.79
146.14
145.53
145.01
144.58
144.34
0.29
0.34
0.40
0.46
0.51
0.57
0.62
0.67
0.72
0.78
0.82
0.88
0.92
0.98
1.05
1.10
1.13
1.20
1.23
1.27
1.31
1.37
1.41
1.44
1.50
1.52
1.59
1.58
1.61
1.62
1.64
1.64
1.64
1.65
1.59
1.59
21.87
21.09
20.38
19.81
19.24
18.79
18.33
17.95
17.59
17.26
16.92
16.65
16.36
16.12
14.59
13.76
13.19
12.48
12.10
11.66
11.27
10.81
10.49
10.17
9.81
9.50
9.17
8.94
8.71
8.41
8.21
8.00
7.85
7.64
7.67
7.50
Note:
1. Gain Calculation:
K -1
, K = 1 + | ? | - |S 11 | - |S 22 | , ? = S 11 S 22 - S 21 S 12
MAG =
|S 21 |
|S 12 |
( K ±
2
). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S 21 |
|S 12 |
2 2 2
2 |S 12 S 21 |
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| FMBC-0994-H100 | FMAC INPUT FILTER 3PHASE 110A |
| B3S-1102P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| B3SL-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
| CWX815-40.0M | OSC 40.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE6510179A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6510179A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 8V 2.8A 4-Pin SMT T/R |
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