- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21740 > NE6510179A-T1-A (CEL)HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NE6510179A-T1-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 2.8A |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 32.5dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NE6510179A
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (T A = 25 ° C)
Note: This file and many other s-parameter files can be downloaded from www.cel.com
j25
j50
j100
-20
-22.5
-26
j10
-32
0
10
25
50
100
0
8
-j10
Coordinates in Ohms
14
-j25
-j50
-j100
Frequency in GHz
V D = 5.0 V, I D = 300 mA
17.5
20
NE6510179A
V D = 5.0 V, I D = 300 mA
FREQUENCY
S 11
S 21
S 12
S 22
K
MAG 1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
3.30
3.40
3.50
3.60
3.70
3.80
3.90
4.00
0.964
0.963
0.964
0.963
0.963
0.962
0.962
0.962
0.962
0.961
0.961
0.960
0.960
0.960
0.959
0.959
0.959
0.958
0.958
0.957
0.957
0.957
0.957
0.957
0.956
0.956
0.956
0.956
0.957
0.955
0.955
0.955
0.955
0.956
0.957
0.956
179.30
177.40
175.60
174.00
172.60
171.20
169.80
168.50
167.20
166.00
164.80
163.60
162.40
161.10
159.90
158.80
157.60
156.30
155.20
154.00
152.90
151.80
150.60
149.50
148.30
147.20
146.00
144.80
143.70
142.50
141.50
140.30
139.20
138.00
137.00
135.90
3.090
2.574
2.215
1.940
1.730
1.559
1.418
1.306
1.207
1.124
1.053
0.990
0.934
0.885
0.841
0.803
0.766
0.733
0.704
0.677
0.652
0.627
0.606
0.587
0.568
0.550
0.534
0.519
0.505
0.491
0.478
0.467
0.455
0.443
0.431
0.421
82.99
80.69
78.48
76.44
74.41
72.36
70.30
68.47
66.55
64.61
62.72
60.89
59.08
57.16
55.31
53.56
51.76
49.92
48.04
46.31
44.72
42.98
41.20
39.47
37.95
36.32
34.72
32.99
31.47
29.85
28.29
26.73
25.35
23.91
22.54
21.29
0.013
0.013
0.013
0.013
0.014
0.014
0.014
0.014
0.015
0.015
0.015
0.015
0.016
0.016
0.016
0.016
0.017
0.017
0.017
0.018
0.018
0.018
0.018
0.019
0.019
0.019
0.020
0.020
0.021
0.021
0.022
0.022
0.023
0.023
0.024
0.024
11.07
12.04
13.41
14.52
15.48
16.81
17.13
18.35
18.76
19.61
20.22
20.71
21.61
21.54
22.43
23.77
24.20
24.45
24.16
24.58
24.86
24.96
25.58
25.67
26.27
27.34
28.08
28.08
29.01
28.15
28.47
28.09
28.10
27.80
27.69
27.86
0.863
0.862
0.863
0.863
0.862
0.862
0.861
0.862
0.861
0.861
0.861
0.862
0.861
0.860
0.861
0.861
0.861
0.859
0.860
0.862
0.863
0.861
0.862
0.864
0.865
0.865
0.868
0.868
0.869
0.869
0.870
0.873
0.873
0.874
0.877
0.883
175.80
174.60
173.30
172.10
171.00
169.90
164.30
167.60
166.50
165.40
164.30
163.30
162.30
161.20
160.10
159.10
158.20
157.20
156.10
155.10
154.30
153.40
152.40
151.40
150.70
149.80
149.00
148.00
147.20
146.50
145.70
145.00
144.40
143.90
143.50
143.20
0.38
0.45
0.52
0.59
0.63
0.71
0.77
0.83
0.85
0.92
0.97
1.03
1.05
1.10
1.16
1.22
1.22
1.29
1.32
1.33
1.36
1.42
1.46
1.43
1.49
1.54
1.52
1.54
1.51
1.57
1.55
1.55
1.54
1.54
1.48
1.49
23.76
22.97
22.31
21.74
20.92
20.47
20.06
19.70
19.06
18.75
18.46
17.10
16.30
15.55
14.76
14.17
13.71
13.09
12.76
12.33
11.99
11.58
11.27
11.01
10.63
10.30
10.01
9.81
9.61
9.24
8.99
8.89
8.64
8.53
8.44
8.32
Note:
1. Gain Calculation:
K -1
, K = 1 + | ? | - |S 11 | - |S 22 | , ? = S 11 S 22 - S 21 S 12
MAG =
|S 21 |
|S 12 |
( K ±
2
). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S 21 |
|S 12 |
2 2 2
2 |S 12 S 21 |
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CE3390-20.480 | OSC 20.480MHZ 3.3V +/-100PPM SMD |
| NE5531079A-T1-A | FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A |
| CE3390-20.000 | OSC 20.000MHZ 3.3V +/-100PPM SMD |
| NE5531079A-T1A-A | FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A |
| NE651R479A-T1-A | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE6510379A | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
| NE6510379A-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
| NE651R479A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。