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参数资料
| 型号： | NE6510179A-T1-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 2.8A |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 32.5dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NE6510179A
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT PERFORMANCE at V DS = 3 V and V DS = 5 V
ACPR
vs. OUTPUT POWER
ACPR
vs. OUTPUT POWER
35
ACPR1
35
F C = 1.96 GHz, V DS = 5 V
40
45
885 KHz
ACPR2
40
45
64 CH IS95 CDMA
ACPR1
885 KHz
50
1.25 MHz
50
ACPR2
1.25 MHz
100 mA
55
200 mA
400 mA
600 mA
55
60
F C = 1.96 GHz, V DS = 3 V ,
800 mA
60
I DSQ = 100 mA
I DSQ = 200 mA
I DSQ = 400 mA
65
23
64 CH IS95 CDMA
24 25 26 27
28
29
30
31
32
33
65
23
25
27
29
31
I DSQ = 600 mA
I DSQ = 800 mA
33 35
Output Power, P OUT (dBm)
Output Power, P OUT (dBm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NE651R479A-T1-A | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NE651R479A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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