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参数资料
| 型号： | NE651R479A-EVPW35 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | FET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 适用于相关产品： | NE651R479A@3.5GHz |
| 已供物品： | 板 |
NE651R479A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T A = 25°C)
TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN CURRENT vs.
GATE VOLTAGE
1.50 1.00
5
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
1.20
0.90
0.60
0.30
0.80
0.60
0.40
0.20
4
3
2
1
R TH = 50 ° C/W
0.00
-1.20
Gate Voltage, V G (V)
0.00
100
0
25 50 100
Case/Circuit Temperature (T C )?C
150
DRAIN CURRENT vs. DRAIN VOLTAGE
1.5
1.25
30.0
25.0
MAXIMUM AVAILABLE GAIN vs.
FREQUENCY
1.00
0.75
V GS =
0V
-0.2V
20.0
15.0
2.2 V, 50 mA
4.6 V, 100 mA
3.5 V, 50 mA
0.5
-0.4V
0.25
-0.6V
-0.8V
10.0
0
0
1 2 3 4
Drain Voltage, V D (V)
5
6
-1.0V
5.0
0.1
0.2
0.5 1.0
Frequency, f (GHz)
2.0
4.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NHD-COG14-36 | ADAPTER SMT TO 2.54MM THRU-HOLE |
| NHD-TS-12864ARNB# | TOUCH PANEL 82X50.2MM 4-WIRE |
| NHD-TS-12864CRNA# | TOUCH PANEL 71.3X55MM 4-WIRE |
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| NHD-TS-24064C-4043003 | TOUCH PANEL FOR 240x64 LCD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE651R479A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 8V 1A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE651R479A-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE652N | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
| NE657N | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD I.C. |
| NE661M04 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 USE 551-NE661M04-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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